Bououza, Ghaniya
(جامعة الجلفة, 2015-01-07)
Le présent travail étudie le mécanisme de croissance thermique des bulles/cavités créées par implantation ionique de l’He dans le silicium à une énergie de 1550 keV et une fluence de 5×1016 He/cm2. Deux mécanismes sont ...