ETUDE DES COUCHES ANTI-REFLETS SiO2, HfO2 et SiO2/HfO2 POUR LES CELLULES PHOTOVOLTAIQUES AU GaAs

Abstract

La réflectivité des couches anti-reflet (CAR) SiO2, HfO2 et SiO2/HfO2 utilisées avec les cellules photovoltaïque au GsAs a été calculée en utilisant la théorie des milieux stratifiés. Les CARs au SiO2 et HfO2 réduisent la réflectivité au voisinage du seuil d'absorption fondamental respectivement à 5% et 1.5%. Cependant, la couche HfO2 est trouvée plus performante que celle au SiO2. Pour la CAR SiO2/HfO2, la réflectivity au voisinage du seuil d'absorption fondamental n'est que de moins de 0.6%. Le nombre optimal de couche dans l'empilement est de 2. L'angle d'incidence en augmentant à plus de 45° cause une dégradation notable de la performance de la CAR.