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PROPRIETES ELECTRONIQUES ET OPTIQUES DU SEMICONDUCTEUR InSb NANOSTRUCTURE : EFFET DE LA TAILLE DES NANOCRISTAUX

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dc.contributor.author Kania BACHIRI
dc.date.accessioned 2017-11-14T12:15:19Z
dc.date.available 2017-11-14T12:15:19Z
dc.date.issued 2015
dc.identifier.uri http://dspace.univ-djelfa.dz:8080/xmlui/handle/123456789/669
dc.description.abstract Les propriétés électroniques et optiques des quantum dots sphériques d’ InSb dans la phase zinc-blende ont été étudiées, en fonction de leur diamètre pris dans la gamme 1–10 nm, en utilisant la méthode des pseudopotentiels. Les niveaux énergétiques, les différents gaps d’énergie, les masses effectives des électrons et des trous, les constantes diélectriques, l’indice de réfraction et la charge effective transverse ont tous été explorés. Le confinement quantique a été trouvé d’un grand effet sur toutes les grandeurs étudiées pour un diamètre des quantum dots en déçà de 6nm. Au-delà de 6 nm, toutes les propriétés examinées tendent à retrouver celles du bulk. en_EN
dc.language.iso fr en_EN
dc.subject Nano-cristal, InSb, Confinement quantique, Méthode empirique du pseudo- potentiel. en_EN
dc.title PROPRIETES ELECTRONIQUES ET OPTIQUES DU SEMICONDUCTEUR InSb NANOSTRUCTURE : EFFET DE LA TAILLE DES NANOCRISTAUX en_EN
dc.type Thesis en_EN


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