PROPRIETES ELECTRONIQUES ET OPTIQUES DU SEMICONDUCTEUR InSb NANOSTRUCTURE : EFFET DE LA TAILLE DES NANOCRISTAUX

Abstract

Les propriétés électroniques et optiques des quantum dots sphériques d’ InSb dans la phase zinc-blende ont été étudiées, en fonction de leur diamètre pris dans la gamme 1–10 nm, en utilisant la méthode des pseudopotentiels. Les niveaux énergétiques, les différents gaps d’énergie, les masses effectives des électrons et des trous, les constantes diélectriques, l’indice de réfraction et la charge effective transverse ont tous été explorés. Le confinement quantique a été trouvé d’un grand effet sur toutes les grandeurs étudiées pour un diamètre des quantum dots en déçà de 6nm. Au-delà de 6 nm, toutes les propriétés examinées tendent à retrouver celles du bulk.