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Les propriétés structurales et optoélectroniques du ZnSe1-xOx sont adressées théoriquement dans le cadre de la DFT moyennant des calculs basés sur la méthode des ondes planes augmentées linéarisées (FP-LAPW) avec les approximations du gradient généralisé (GGA) et du gradient généralisé de Angel-Vosko (EVGGA). Le paramètre de maille à l’équilibre, le module de compression à pression nulle et sa dérivée par rapport à la pression ont été examinés. Un bon accord est observé entre nos résultats concernant ces propriétés et d’autres rapports théoriques et/ou expérimentaux. En outre, nous avons étudié les caractéristiques optoélectroniques telles que les différents gaps d’énergie, les parties réelle et imaginaire de la fonction diélectrique, l’indice de réfraction et la réflectivité. Vu le manque de données, se rapportant à ces grandeurs pour le cas de notre matériau, dans la littérature, nos résultats sont alors des prédictions et peuvent servir de référence. |
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