Modélisation des paramètres physiques d'un laser à puits quantique contraint GaAs/AlxGa1-xAs

Abstract

Dans ce travail, nous avons fait une étude des propriétés optiques du puits quantique GaAs/AlxGa1-xAs et voir s’il est utilisable dans la technologie du laser. Nous avons résolu l’équation de Schrödinger numériquement et analytiquement pour ce puits quantique. Par ailleurs, nous avons détaillé la fonction de distribution de Fermi-Dirac des électrons et des trous dans la bande de conduction et la bande de valence respectivement ainsi que la densité d’état. Et voir l’influence de la largeur du puits et la fraction molaire sur la quantification de l’énergie et la densité d’état dans le puits. Nous avons étudié par la suite les pseudo-niveaux de Fermi dans les bandes de conduction et de valence afin de déterminer le gain optique en fonction de la longueur d’onde qui valide l’utilisation du puits quantique GaAs/AlxGa1-xAs en tant que laser.