الخلاصة:
Le présent travail étudie le mécanisme de croissance thermique des bulles/cavités créées par implantation ionique de l’He dans le silicium à une énergie de 1550 keV et une fluence de 5×1016 He/cm2. Deux mécanismes sont modélisés ; l’Ostwald Ripening (OR) et la Migration Coalescence (MC). Les principaux résultats ont permis de suivre l’évolution des diamètres des bulles/cavités obtenus expérimentalement et voir la dominance d’un tel mécanisme par rapport à l’autre. La compréhension du mécanisme de croissance de ces bulles/cavités créées est donc déterminante pour le développement de nouvelles méthodes de fabrication des matériaux en particulier dans la technologie silicium.
Mots-clés : Silicium, Hélium, implantation ionique, Bulles/Cavités, Ostwald Ripening, Migration Coalescence
