Étude modélisatrice des mécanismes de la croissance thermique des bulles/cavités dans le silicium  implanté hélium

dc.contributor.author	Bououza, Ghaniya
dc.date.accessioned	2018-02-05T08:29:14Z
dc.date.available	2018-02-05T08:29:14Z
dc.date.issued	2015-01-07
dc.identifier.uri	http://dspace.univ-djelfa.dz:8080/xmlui/handle/123456789/916
dc.description.abstract	Le présent travail étudie le mécanisme de croissance thermique des bulles/cavités créées par implantation ionique de l’He dans le silicium à une énergie de 1550 keV et une fluence de 5×1016 He/cm2. Deux mécanismes sont modélisés ; l’Ostwald Ripening (OR) et la Migration Coalescence (MC). Les principaux résultats ont permis de suivre l’évolution des diamètres des bulles/cavités obtenus expérimentalement et voir la dominance d’un tel mécanisme par rapport à l’autre. La compréhension du mécanisme de croissance de ces bulles/cavités créées est donc déterminante pour le développement de nouvelles méthodes de fabrication des matériaux en particulier dans la technologie silicium. Mots-clés : Silicium, Hélium, implantation ionique, Bulles/Cavités, Ostwald Ripening, Migration Coalescence	en_EN
dc.language.iso	fr	en_EN
dc.publisher	جامعة الجلفة	en_EN
dc.subject	Silicium, Hélium, implantation ionique, Bulles/Cavités, Ostwald Ripening - Migration Coalescence	en_EN
dc.title	Étude modélisatrice des mécanismes de la croissance thermique des bulles/cavités dans le silicium implanté hélium	en_EN
dc.type	Thesis	en_EN